(相关资料图)

1、一般两个小时左右消耗完。

2、刻蚀用单晶硅材料是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。刻蚀设备是将硅片置入单晶硅环，置于刻蚀设备腔体下方，利用酸性的等离子刻蚀气体在硅片上进行微观雕刻，使硅片表面按设计线宽和深度进行腐蚀，形成微小集成电路。刻蚀过程中硅电极会被逐渐腐蚀并变薄，

3、当硅电极厚度缩减到一定程度后，需用新电极替换以保证刻蚀均匀性，因此硅电极是晶圆制造刻蚀工艺的核心耗材。

以上就是【等离子体刻蚀机参数，等离子体刻蚀】相关内容。